蕪湖縣德鴻表面處理有限公司

電鍍銅歷史前沿：

1：焦磷酸銅

1985年以前全球電路板業之電鍍銅，幾乎全部采用60℃高溫操作的焦磷酸銅(CoPPer PyroPhosPhate；Cu2P2O7)制程，系利用焦磷酸之錯合劑(Complexing Agent)做為基本配方。彼時的商業制程就是M&T的添加劑PY－61H。但由于高溫槽液及PH值又在8.0以上，對于長時間二次銅所用到的堿性水溶油墨或干膜等阻劑，都不免會造成傷害。不但對板面之線路鍍銅(Pattern Plating)品質不利。且槽液本身也容易水解而成為反效果正磷酸(H3PO4)，再加上阻劑難以避免被溶解所累積的有機污染等因素，導致焦磷酸銅的管理困難，而被業者們視為畏途。然而新亮相非錯合劑的低溫 (15oC－20oC)硫酸銅制程，當年則因其成熟度不夠也使得用戶們吃足了苦頭。直到1988年以后硫酸銅才逐漸正式取代了先前的焦磷酸銅，而成為的基本配方。
2：硫酸銅
十年后(1995)的電路板開始采孔徑0.35mm或14mil以下的小孔，在板厚不變或板厚增加下，常使得待鍍之通孔出現4:l至10:l高縱橫比的困難境界。為了增加深孔鍍銅的分布力(Throwing Power)起見，首先即調高槽液基本配方的酸銅比(拉高至10:l以上)，并也另在添加劑配方上著手變化。而且還將固有垂直掛鍍的設備中，更換其傳統直流(DC)供電，轉型為變化電流(廣義的AC)式反脈沖電流(Reverse Pulse)的革新方式。要其反電流密度很大但間卻很短的情況下，冀能將兩端孔口附近較厚的鍍銅層予以減薄，但又不致影響深孔中心銅層應有的厚度，于是各種脈沖供電方式也進入了鍍銅的領域。
3：水平鍍銅
隨后為了方便薄板的操作與深孔穿透以及自動化能力起見，板面一次銅(全板鍍銅)的操作，又曾改變為水平自走方式的電鍍銅。在其陰陽距離大幅拉近而降低電阻下，可用之電流密度遂得以提高2-4倍，而使量產能力為之大增。此種新式密閉水平鍍銅之陽起先還沿用可溶的銅球,但為了減少量產中頻繁拆機，一再補充銅球的麻煩起見，后來又改采非溶解性的鈦網陽。而且另在反脈沖電源的協助下，不但對高縱橫比小徑深孔的量產如虎添翼，更對2001年興起的HDI雷射微盲孔(Microvia)也有助益。不過也由于非溶陽已不再出現溶銅之主反應，而將所有能量集中于“產生氧氣”之不良副反應，久之難免會對添加劑與Ir/Ti式DSA(名稱為" 尺寸安定式陽")昂貴的非溶陽造成傷害，甚至還影響到鍍銅層的物理性質。至于2002年新冒出二階深微肓孔所需的填孔鍍銅，已使得水平鍍銅出現了力猶未逮的窘境。對于此種困難，勢必又將是另一番新的挑戰。
4：垂直自走的掛鍍銅
1999初日本上村公司曾推出一種U－CON制程，即屬精密擾流噴流之槽液，與恢復兩側銅陽的垂直自走掛鍍；但由于成本及售價都為昂貴，于是恢復銅陽的自正式掛鍍又開始受到重視。